歼-20雷达升级真相：碳化硅仅仅只是雷达的衬底，千公里探测是误读

氮化镓与碳化硅同属第三代半导体，性能接近（击穿电场均约3MV/cm），并无代差优势。

真正代表技术突破的是 第四代半导体氧化镓（击穿电场可达8MV/cm），其雷达应用尚在中国处于测试阶段。

将使用碳化硅开关的雷达称为“碳化硅雷达”，如同将装有锂电池的手机宣称为“锂电手机”——忽略了核心处理器与芯片的存在。

误区二：1000公里探测距离缺乏物理基础，合理探测范围应为400以上公里。

根据雷达所公开数据及电磁波衰减模型：假设歼-20早期砷化镓雷达探测距离约270公里。升级氮化镓后，因功率与效率提升，探测距离增幅约50%-100%，即 400-500公里区间。未来换装氧化镓雷达的歼-35/歼-20改型，因孔径更大、材料升级，理论极限约 800公里。

“千公里说”来源的误读，该数据源自对山东大学某论文的曲解：文中提及碳化硅衬底使雷达 探测范围（面积）扩大至3倍，却被误读为 探测距离提升3倍。

关键换算：探测面积扩大3倍 → 探测距离仅增长√3≈1.7倍（以原距离300公里计，仅增至500公里）。

若强行按“3倍距离”计算（需功率提升27倍），需颠覆现有物理规律，远超当前材料技术极限。

为何碳化硅被误作“黑科技”？

部分观点混淆了击穿电场性能的参照系：

碳化硅击穿电场为硅的10倍，但氮化镓已达同级水平。夸大表述如“碳化硅性能超氮化镓10倍”，实为偷换概念。

未来方向：氧化镓与金刚石衬底。

可以预料下一代雷达的真正突破在于：氧化镓T/R组件：提升功率密度，缩短与理论探测极限的距离。

金刚石衬底：替代碳化硅，解决高频散热瓶颈，目前处于实验室阶段，或者是成本太高。

歼-20的雷达升级遵循客观技术规律：从砷化镓到氮化镓，未来迈向氧化镓。碳化硅作为开关关键材料 和优质衬底确有贡献，但将其冠名为“雷达技术革命”并衍生出千公里探测神话，既不符合材料科学原理，也脱离工程实际。真正的“代际跨越”，永远建立在严谨迭代与可验证数据之上。